安森美 EliteSiC MOSFET 與柵極驅(qū)動(dòng)器：電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)創(chuàng)新引領(lǐng)者
在歐盟 2035 年零排放目標(biāo)等一系列雄心勃勃的計(jì)劃推動(dòng)下，全球范圍內(nèi)從化石燃料向電動(dòng)汽車（EV）的轉(zhuǎn)型正在以前所未有的速度加速進(jìn)行。為了在市場(chǎng)中吸引消費(fèi)者，電動(dòng)汽車必...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-07-10 閱讀：219 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
深入解析安森美 SiC Combo JFET 技術(shù)特性與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時(shí)代，功率器件的性能對(duì)于眾多應(yīng)用場(chǎng)景的高效運(yùn)行起著關(guān)鍵作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-06-26 閱讀：364 關(guān)鍵詞：JFET
解析 Littelfuse SMFA：非對(duì)稱 TVS 二極管助力 SiC MOSFET 高效柵極保護(hù)
在當(dāng)今的電源和電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 的應(yīng)用正變得越來(lái)越廣泛。隨著功率半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，開(kāi)關(guān)損耗也在持續(xù)降低。然而，隨著開(kāi)關(guān)速度的不斷提高，設(shè)計(jì)人...
分類：安防監(jiān)控 時(shí)間：2025-06-24 閱讀：228 關(guān)鍵詞： TVS 二極管
在電力電子領(lǐng)域，為了確保 SiC（碳化硅）模塊的安全使用，精確計(jì)算其在工作條件下的功率損耗和結(jié)溫，并使其在額定值范圍內(nèi)運(yùn)行至關(guān)重要。MOSFET 的損耗計(jì)算與 IGBT 既有相...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-06-19 閱讀：355 關(guān)鍵詞： SiC MOSFET
揭秘 SiC 市場(chǎng)新爆點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)深度剖析
在 SiC（碳化硅）市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，安森美（onsemi）的 cascode FET（碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出了諸多優(yōu)勢(shì)。今天，我們將深入探討 Cascode 結(jié)構(gòu)，探尋其在 SiC 市場(chǎng)成為下一個(gè)爆...
SiC MOSFET 模塊并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流難題及對(duì)策
在電力電子領(lǐng)域的不斷發(fā)展進(jìn)程中，SiC MOSFET 模塊由于其優(yōu)異的性能，如高開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻等，被廣泛應(yīng)用于各種高功率、高頻率的場(chǎng)合。而當(dāng)多個(gè) SiC MOSFET 模塊并聯(lián)...
分類：基礎(chǔ)電子 時(shí)間：2025-05-30 閱讀：323 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
采用 SiC 輔助電源的牽引逆變器功能安全設(shè)計(jì)
在傳動(dòng)逆變器中，一個(gè)低功率輔助電源，通常是反激轉(zhuǎn)換器，起著至關(guān)重要的作用，將 400V 或 800V 高壓直流（HVDC）輸入轉(zhuǎn)換為低壓直流（LVDC）輸出。該輔助電源在故障條件下...
SIC在芯片尺度附近的電動(dòng)汽車和機(jī)車牽引力的可伸縮性
maxpak初始焦點(diǎn)高達(dá)650V/400A和1200V/200A工業(yè)開(kāi)關(guān)。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊接到電力PCB，DBC底物，甚至是重型銅鉛框架的限制，從而限制了最大電流。最初的?maxpak...
分類：汽車電子/智能駕駛 時(shí)間：2025-04-07 閱讀：870 關(guān)鍵詞：電動(dòng)汽車
SIC門保護(hù)的不對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制二極管
瞬態(tài)保護(hù)設(shè)備 瞬態(tài)尖峰可能是由雷擊，附近的機(jī)械，負(fù)載開(kāi)關(guān)的電源飆升等引起的。一個(gè)例子是現(xiàn)代汽車，在該汽車上不斷增加的車載電子設(shè)備連接到電池和交流發(fā)電機(jī)。交流發(fā)...
分類：安防監(jiān)控 時(shí)間：2025-03-27 閱讀：391 關(guān)鍵詞：抑制二極管
將Schottky屏障二極管與SIC MOSFET集成的進(jìn)步
Sic Schottky二極管比標(biāo)準(zhǔn)硅P/N二極管具有許多優(yōu)勢(shì)。一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是缺乏反向發(fā)現(xiàn)損失，這可能會(huì)主導(dǎo)P/N二極管損失，尤其是在較高的溫度，快速轉(zhuǎn)換過(guò)渡和高流動(dòng)應(yīng)用下。除了...
分類：元器件應(yīng)用 時(shí)間：2025-03-20 閱讀：425 關(guān)鍵詞：二極管
由于可靠性，成本和系統(tǒng)級(jí)別的價(jià)值提高，碳化硅碳化物的阻塞電壓最高可達(dá)1700 V。通過(guò)將最新SIC CHIP生成的阻塞電壓擴(kuò)展到2000 V，新的可能性就會(huì)出現(xiàn)?，F(xiàn)在可以更輕松地處...
TDK - 面向緊湊型高性能FPGA、SoC和ASIC的次世代垂直供電解決方案
隨著人工智能 (AI) 和邊緣應(yīng)用日趨完善和復(fù)雜，對(duì)處理器、ASIC和FPGA/SoC的計(jì)算能力和電源要求也水漲船高。因?yàn)檫@些設(shè)備須在更狹小的空間內(nèi)高效運(yùn)行，同時(shí)保持高性能。垂直...
分類：電源技術(shù) 時(shí)間：2025-02-27 閱讀：735 關(guān)鍵詞：FPGASoCASIC
傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲是一種單使用設(shè)備，需要在清除故障后更換。因此，指定保險(xiǎn)絲僅在持續(xù)的高電流下吹。這可以保護(hù)系統(tǒng)中的布線，但不能保護(hù)敏感的負(fù)載，并且可能導(dǎo)致系統(tǒng)級(jí)的停機(jī)時(shí)...
分類：安防監(jiān)控 時(shí)間：2025-02-21 閱讀：371 關(guān)鍵詞：SIC
Microchip - 基于SiC的高電壓電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
得益于固態(tài)電路保護(hù)，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網(wǎng)電源或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高電壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)時(shí)，需...
分類：動(dòng)力電池/充電樁 時(shí)間：2025-02-14 閱讀：1831
設(shè)計(jì)高壓SIC的電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網(wǎng)功率或儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）提供動(dòng)力，可以通過(guò)固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)連接開(kāi)關(guān)時(shí)，需要...
時(shí)間：2025-02-12 閱讀：272 關(guān)鍵詞：SIC
基于 SiC 的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證套件
基于 SiC 器件的電機(jī)驅(qū)動(dòng) 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器涵蓋廣泛的應(yīng)用，從低壓工業(yè)驅(qū)動(dòng)器（例如風(fēng)扇、泵和傳送帶、熱泵和空調(diào)）以及伺服驅(qū)動(dòng)器。據(jù)估計(jì)，這些通常由交流電源驅(qū)動(dòng)的電...
系統(tǒng)解決方案：“用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的SiC逆變器”
這導(dǎo)致對(duì)系統(tǒng)和組件級(jí)別的設(shè)計(jì)要求更加苛刻，并最終影響功率器件、無(wú)源組件、冷卻技術(shù)和PCB的整體一致性?！ 榱藢?shí)現(xiàn)所需的增強(qiáng)系統(tǒng)性能，半導(dǎo)體器件必須應(yīng)對(duì)更高的功率...
第一代 AI PSU：采用相同架構(gòu)，功率更高，約 5.5–8 kW，50 V輸出，277 V交流，單相 目前的AI服務(wù)器PSU大多遵循ORv3-HPR標(biāo)準(zhǔn)。在該標(biāo)準(zhǔn)中，大多數(shù)規(guī)格，包括輸入和輸出...
USCis SiC 共源共柵的開(kāi)關(guān)行為
溝槽 JFET 結(jié)構(gòu) 圖 1 顯示了溝槽 JFET 的單元結(jié)構(gòu)示意圖。低導(dǎo)通電阻源自以高單元密度重復(fù)的垂直溝道，從而通過(guò)溝道和漂移區(qū)域在源極和漏極接觸之間創(chuàng)建了一條短路徑。...
時(shí)間：2024-12-30 閱讀：306 關(guān)鍵詞：USCis SiC 共源共柵
SiC MOSFET 利用快速關(guān)斷方法實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)
短路原點(diǎn) 電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的 SC 事件可能由多種原因引起，包括電纜操作、負(fù)載故障、絕緣材料老化、組件故障和設(shè)計(jì)錯(cuò)誤。電源應(yīng)用可以包括不同的保護(hù)機(jī)制以提高其可靠性。 負(fù)載引起的高電感 SC 事件通常通過(guò)軟件...
分類：安防監(jiān)控 時(shí)間：2024-12-19 閱讀：434 關(guān)鍵詞：SiC MOSFET
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