二極管恢復電荷 二極管在關斷期間的開關特性如圖1所示?！ 」β识O管的關斷特性： a) 電流變化 if ； b) 電壓降vf 的變化； c) 功率損耗的變化 圖 1. 功率二極管的...
非零上升時間造成的損耗 圖 1 顯示了 E 類功率放大器的典型開關波形?！ ≡?E 類放大器中切換電流和電壓波形?！ D 1.E 類放大器中的典型開關電流 （頂部） 和電壓 ...
分類：模擬技術 時間：2024-10-31 閱讀：247
MOSFET 的工作方式可分為兩種基本模式：線性模式和開關模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高。溝道兩端的電壓和流過溝道的電流都很大，導致晶體管的功耗很高?！ ≡陂_關模...
Vishay 新款第5代TO－244封裝FRED Pt 600 V Ultrafast整流器，具有出色導通和開關損耗特性
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出四款新型TO-244 封裝第5代 FRED Pt? 600 V Ultrafast 整流器。Vishay Semiconductors整流器新款240 A、300 A、480 A和 600 A具有出色導通和開關...
Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅動器，可將開關損耗降低50%，同時加快產品上市時間，現(xiàn)已投入生產
隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進一步完善其豐富的碳化硅MOSFET分立和模塊產品組合，Microchi...
分類：元器件應用 時間：2021-09-24 閱讀：863 關鍵詞：Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅動器，可將開關損耗降低50%，同時加快產品上市時間，現(xiàn)已投入生產MOSFET
本文將探討開關節(jié)點產生的開關損耗。 關 開關損耗 見文識意，開關損耗就是開關工作相關的損耗。在這里使用PSWH這個符號來表示?！ 『唵蔚卣f，同步整流降壓轉換器的同步開關（高邊＋低邊）是對VIN和GND電壓...
時間：2020-04-07 閱讀：499 關鍵詞：關于開關節(jié)點產生的開關損耗問題探討開關損耗
ishay推出新款FRED Pt® 第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器降低導通和開關損耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出六款新型FRED Pt?第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器。Vishay 30 A和60 A整流器導通和開關損耗在同類器件中達到最佳水平，提高高頻逆...
分類：元器件應用 時間：2019-05-21 閱讀：1240 關鍵詞：ishay推出新款FRED Pt® 第5代1200 V Hyperfast和Ultrafast恢復整流器降低導通和開關損耗整流器,開關損耗
電磁流量計目前在工業(yè)生產使用相當普遍的了，尤其是在涉及到水流測量的領域中更是常見，甚至許多自來水公司的大口徑的水量測量都是在使用電磁流量計，本文針對的是空調冷凍水的測量案例分析，具體的情況如下：某機場...
分類：電子測量 時間：2018-11-09 閱讀：806 關鍵詞：開關損耗和傳導損耗測試（連載六）:損耗測試步驟要點開關損耗
摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)在通信設備直流-48 V緩啟動應用電路中出現(xiàn)的開關損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間電容的闡述和導通過...
時間：2018-08-14 閱讀：760 關鍵詞：MOSFET,帶電插拔,緩啟動,開關損耗
Vishay推出新款超快二極管，優(yōu)化系統(tǒng)開關損耗
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布11款新型Gen2 650V FRED Pt?超快二極管。“H”系列裸片器件適用于頻率在40kHz以上的應用，具有極快的...
分類：元器件應用 時間：2013-06-03 閱讀：2584 關鍵詞：Vishay推出新款超快二極管，優(yōu)化系統(tǒng)開關損耗Vishay超快二極管優(yōu)化系統(tǒng)
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體...
分類：模擬技術 時間：2011-03-29 閱讀：2918 關鍵詞：利用MOSFET降低傳導和開關損耗FDMS86252
